能量调节装置以及激光微加工设备”（专利号：ZL1.1）荣获第二十届中国专利优秀奖，此次奖项是继正业科技X-Ray产品系列首获国家专利奖之后，在激光智能装备系列再获此殊荣。
据悉，中国专利奖颁奖大会由国家知识产权局和世界知识产权组织共同主办，旨在表彰推动技术（设计）创新和促进经济社会发展做出突出贡献的专利权人和发明人（设计人），是我国政府部门针对专利领域设立的政府奖项，也是专利行业的奖项。
近年来，正业科技聚焦光电检测自动化解决方案，相继推出了“两光”（激光+X光）等检测自动化、智能制造、智能化生产线等产品及服务和解决方案，在面向PCBFPC、锂电等领域取得广泛应用。
激光微加工对激光能量稳定性的要求非常高，需要激光功率保持持续稳定。现有的激光能量补偿调节装置只能通过小功率探头106采样脉冲激光，具有以下缺点：采样需较长时间；需要在一定时间内多次采集脉冲信号进行计算，但无法确定每个脉冲信号是否稳定，因此计算得出的功率平均值并不能真实反映单脉冲能量稳定性及一致性。
发明的装置能够在微加工过程中对激光脉冲能量进行调节，提高了调节速度及准确度。此外，这一发明还提供一种包括上述调节装置的激光微加工设备，能够通过能量调节实现打孔、切割、焊接等功能，终实现精密微加工。
对双面覆铜箔进行盲孔加工以及HDI板开铜窗加工，打盲孔小孔径可达50μm，精度可达±20um，采用先进的飞行钻孔技术，大大提高加工品质和效率。
适用于覆盖膜（CVL）、柔性板（FPC）、软硬结合板（RF）和薄多层板的切割成形，以及开窗和揭盖，可用于切割各种基材。大台面，加工幅面大；加工前预览功能，避免切板报废。
适用于覆盖膜（CVL）、柔性板（FPC）、软硬结合板（RF）和薄多层板的切割成形，还可用于切割各种基材。真正冷加工，基本无炭化；双台面，效率高；相对纳秒加⼯，切割速度可以提⾼数倍。
将原料采购、生产过程和工艺等信息自动生成二维码，并标刻在PCB/FPCB表面，实现对产品的追溯和管理；精度⾼，速度快，性能稳定；无耗材，环保无污染，免维护。
多年来，正业科技强化知识产权创造，对核心技术、重点项目、产品专利布局，实现专利质量和数量“并驾齐驱”，知识产权事业取得骄人成绩。
迄今为止，正业科技已累计申请专利750余件，授权专利近500件，授权发明专利100余件。
凭借雄厚的科研实力和扎实的知识产权工作，正业科技先后获评国家知识产权优势企业、省知识产权优势企业和东莞市专利优势企业，并入选了东莞市知识产权保护协会会长单位。
未来，在国家对知识产权的重视与扶持下，正业科技将继续完善知识产权管理，加强核心技术研发，提升自主创新能力，推动专利技术成果产业化，创造出更多的经济和社会效益，促进企业高质量发展，助力“科技强国”建设。
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Broadcom TO294YSx是一款10Gb / s光发射机系列，在TO-中集成了高速电吸收激光器（EML），微型TEC和监视器PD。可同轴包装。它设计用于小型可插拔收发器和其他类型的光模块，用于高速电信和数据通信应用，包括SONET OC-192，SDH STM-64和10G以太网。 功能 数据速率高达10.7 Gb / s 链接距离40 km，速度为10 Gb / s 温度稳定 TEC功耗非常低 50单端数据输入 外壳工作温度范围：-40至+85°C 应用 10G光收发器模块（XFP，X2，XENPAK和SFP +） 用于SONET / SDH的300针转发器 10GbE接口 线GHz信道间隔DWDM...
247Ex-1490是一款单模边缘发射激光二极管芯片，发射波长为1490 nm，适用于输出功率高达75 mW的非制冷应用。该设计是在n型衬底上生长的带帽的台面掩埋异质结构（CMBH），具有多量子阱（MQW）有源层和分布反馈（DFB）光栅层。刻面在前刻面上涂有抗反射层，在后刻面上涂有高反射涂层。在p侧和n侧都提供金焊盘。出于识别目的，芯片两侧都会出现一个十六进制数字。所有激光芯片都来自已经使用代表性的许多器件进行认证的晶片，这些器件必须达到可接受的老化和多温度CW测试产量。每个出厂裸芯片都在25摄氏度下进行脉冲测试。 特性 高输出功率 低光束发散角 可粘合结合或结合 久经考验的现场可靠性历史悠久 设计可靠性，包括高质量MOCVD外延 专利低渗透欧姆p接触设计 专利的接合侧焊盘，提供焊料渗透的屏障 工作温度 5°C至+ 75°C...
725型25 Gb / s EML芯片载体（CoC）是一种光学子组件，由1.3微米电子吸收调制激光器组成（ EML）安装在金属化平台上。 CoC已经过吹扫和电光测试，可支持25 Gb / s的应用。该载波有四个LAN-WDM波长通道，共4次; 25Gb / s传输。 功能 能够传输高达28 Gb / s LAN-WDM平均值为~1296,1300,1305标称值1309 nm，4次; 25/28 Gb / s传输应用 工作温度45~60℃ CMBH多量子阱DFB结构 高度可靠 用于高ER /低Vpp的高带宽调制器...
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Broadcom AFCD-V54JZ 850nm 25 Gb / s 1x4阵列氧化物GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL），具有150微米厚的基板。 VCSEL阵列专为高速光数据通信应用而设计，可产生圆对称的窄光束，通过适当的镜头，可将光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 / div
功能 850nm波长范围 数据速率从DC到25Gb / s 高功率输出 适用于非密封环境 应用 100GbE QSFP28有源光缆（AOC）
Broadcom AFCD-V51KC1 850nm 25 Gb / s氧化镓GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL），具有150微米厚的基板。 VCSEL专为高速光数据通信应用而设计，可将光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 功能 850nm波长范围 数据速率从DC到25Gb / s 符合100 Gb以太网 高功率输出 适用用于非密封环境 应用程序 25GbE SR SFP28可插拔收发器 25GbE SFP28有源光缆（AOC）
AFCD-V21KA2 10 Gb / s 850nm氧化物VCSEL
Broadcom AFCD-V21KA2是一款850nm 10 Gb / s氧化镓GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL），具有150微米厚的基板，专为高速光学设计数据通信应用。 VCSEL设计用于符合IEEE 802.3ae 10GBASE-SR的10Gb / s以太网链路，可将光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 功能 850nm波长范围 数据速率从DC到10.3125 Gb / s 温度范围从5C到+ 75C 适用于非密封环境 应用 10GbE SR SFP +可插拔收发器 10GbE SFP +有源光缆（AOC） ）...
Broadcom AFCD-V51KC是一款850nm 28 Gb / s氧化镓GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL），具有150微米厚的基板。 VCSEL专为高速光数据通信应用而设计，可将光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 功能 850nm波长范围 数据速率从DC到28Gb / s 高功率输出 适用于非密封环境 应用 25GbE SFP28有源光缆（AOC）
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